产品优势：
  1、具有高容量（1930mah/g）、高循环等特点。
  2、非晶质结构。充放电时不会产生因膨胀收缩而引起应力。
  3、采用化学气相沉淀（cvd）法在sio粒子周围形成碳涂层，有效解决了硅体积膨胀的问题。
  4、可适用于-30度至120度的温度范围。可高频率充放电，30c（2分钟充电、2分钟放电）以上的充放电速度sio仍然稳定（不被破坏）。