详细介绍
PL7022/B 是一款基于 CMOS 的双节可充电锂电池保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保
护、过电流充电保护、过电流放电保护、电池短路保护等性能于一身。
正常状态下， PL7022/B 由电池供电。当两节电池电压（VBATU/VBATD)都在过电压充电保护阈值（VOCU/D）和
过电压放电保护阈值（VODU/D）之间，且其 VM 检测端电压在过电流充电保护阈值（VECI）和过电流放电保护阈值
（VEDI）之间，此时 PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都输出高电平，分别使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 和
放电控制 N-MOSFET 管 Q2 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
PL7022/B 通过检测两个电池电压来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时， COUT/DOUT 由高电平变
为低电平，使 Q1/Q2 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。 PL7022/B 对每种保护状态都有相应的恢复条件，
当恢复条件满足以后， COUT/DOUT 由低电平变为高电平， 使 Q1/Q2 由截止变为导通，从而进入正常状态。
PL7022/B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，
才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。
当 VM 小于-5V， VDD 从 0V 升高至正常值时，芯片将进入快速检测模式，缩短延迟时间，并禁止过电流充电保护
功能。过电压充电检测和过电压放电检测延迟时间会缩短到将近 1ms，这能有效地缩短保护电路 PCB 的检测时间。
当 VM 升高至 0V 以上时，芯片将退出快速检测模式。
特点：
? 两节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
? 高精度的保护电压（过充/过放）检测
? 高精度过电流充电/放电保护检测
? 低供电电流
? 在低功耗模式，不接充电器情况下，可自动恢复状态
? 电池短路保护
? 可选择多种型号的检测电压和延迟时间
? 缩短延迟时间测试功能
? 0V 电池充电功能
? 极少的外围元器件
? 超小型化的 SOT23-6 封装
应用：
? 两节锂电池的充电、放电保护电路
? 电话机电池或其它两节锂电池高精度保护
护、过电流充电保护、过电流放电保护、电池短路保护等性能于一身。
正常状态下， PL7022/B 由电池供电。当两节电池电压（VBATU/VBATD)都在过电压充电保护阈值（VOCU/D）和
过电压放电保护阈值（VODU/D）之间，且其 VM 检测端电压在过电流充电保护阈值（VECI）和过电流放电保护阈值
（VEDI）之间，此时 PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都输出高电平，分别使外接充电控制 N-MOSFET 管 Q1 和
放电控制 N-MOSFET 管 Q2 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
PL7022/B 通过检测两个电池电压来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时， COUT/DOUT 由高电平变
为低电平，使 Q1/Q2 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。 PL7022/B 对每种保护状态都有相应的恢复条件，
当恢复条件满足以后， COUT/DOUT 由低电平变为高电平， 使 Q1/Q2 由截止变为导通，从而进入正常状态。
PL7022/B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，
才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。
当 VM 小于-5V， VDD 从 0V 升高至正常值时，芯片将进入快速检测模式，缩短延迟时间，并禁止过电流充电保护
功能。过电压充电检测和过电压放电检测延迟时间会缩短到将近 1ms，这能有效地缩短保护电路 PCB 的检测时间。
当 VM 升高至 0V 以上时，芯片将退出快速检测模式。
特点：
? 两节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
? 高精度的保护电压（过充/过放）检测
? 高精度过电流充电/放电保护检测
? 低供电电流
? 在低功耗模式，不接充电器情况下，可自动恢复状态
? 电池短路保护
? 可选择多种型号的检测电压和延迟时间
? 缩短延迟时间测试功能
? 0V 电池充电功能
? 极少的外围元器件
? 超小型化的 SOT23-6 封装
应用：
? 两节锂电池的充电、放电保护电路
? 电话机电池或其它两节锂电池高精度保护
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