随着半导体技术的发展，对技术的要求越来越高，特别是半导体圆片的表面质量要求越来越严格，主要原因是圆片表面的粒子和金属杂质污染严重影响设备的质量和成品率，在现在的集成电路生产中，圆片表面污染问题，还有50%以上的材料损失。

在半导体生产过程中，几乎每个过程都需要清洗，圆片清洗质量对设备性能有严重影响。正因为圆片清洗是半导体制造技术中**重要、**频繁的步骤，其技术质量直接影响设备的成品率、性能和可靠性，国内外各大公司、研究机构等对清洗技术的研究不断进行。等离子清洗作为一种的干式清洗技术，具有绿色环保等特点，随着微电子行业的快速发展，等离子清洗机在半导体行业的应用也越来越多。

半导体污染杂质及分类。

半导体制造需要一些有机物和无机物参与完成。此外，由于工艺总是由人们参与净化室，半导体圆片不可避免地会被各种杂质污染。根据污染物的来源、性质等，大致可分为粒子、有机物、金属离子和氧化物4种。

颗粒。

粒子主要是聚合物、光刻胶、蚀刻杂质等。这种污染物通常主要依靠范德瓦尔斯的吸引力吸附在圆片表面，影响设备雕刻工序几何图形的形成和电学参数。这种污染物的去除方法主要用物理或化学方法切割粒子，逐渐减少与圆表面的接触面积，**终去除。

有机物。

有机物杂质的来源比较广泛，如人的皮肤油脂、细菌、机械油、真空油、光刻胶、清洗溶剂等。这种污染物通常在圆形表面形成有机物薄膜，阻止清洗液到达圆形表面，圆形表面清洗不，清洗后金属杂质等污染物仍保留在圆形表面。这种污染物的清除通常在清洗过程的**步进行，主要用硫酸和过氧化氢水等方法进行。

金属。

半导体技术中常见的金属杂质有铁、铜、铝、铬、钨、钛、钠、钾、锂等，这些杂质的来源主要有各种器皿、配管、化学试剂、半导体圆片加工中，在形成金属连接的同时，也产生了各种金属污染。这种杂质的去除通常采用化学方法，通过各种试剂和化学药品制成的清洗液和金属离子反应，形成金属离子的结合物，脱离圆片表面。

氧化物。

半导体圆片在含氧和水的环境下表面形成自然氧化层。该氧化膜不仅妨碍了半导体制造的许多步骤，还包括金属杂质，在一定条件下转移到圆片中形成电气缺陷。该氧化膜的去除通常用稀氢氟酸浸泡。

等离子清洗机在半导体晶圆清洗技术中的应用等离子清洗技术简单，操作方便，无废弃物处理和环境污染等问题。但是，它不能去除碳和其他非挥发性金属或金属氧化物。等离子体清洗常用于光刻胶的去除技术，在等离子体反应系统中加入少量氧气，在强电场的作用下，使氧气产生等离子体，使光刻胶迅速氧化成挥发性气体状态物质。该清洗技术具有去胶技术操作方便、效率高、表面清洁、无损伤、有利于确保产品质量等优点，不使用酸、碱、有机溶剂等，越来越受到重视。