LEEG立格仪表SMP858-NST单晶硅双法兰差压变送器

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶，远离介质接触面，实现械隔离和隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活能与耐瞬变电压护的能力，可应对复杂的化学场合和械负荷，同时具备较强的抗电磁能力，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。

主要参数

压力类型：差压

量程范围：10kPa-1MPa

输出号：4-20mA，4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485

参考精度：±0.2量程上限，可选±0.5量程上限

认：CE，EXPSI，CSA，IECEx，ATEX，RoHS

技术参数

标称量程：40kPa，250kPa，1MPa

典型精度：±0.2量程上限

年稳定：±0.2SPAN/5年

零点影响：±0.2TD量程上限/4MPa

满量程影响：±0.2量程上限/4MPa

电源影响：当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化，其零点和量程的变化应不超过±0.005量程上限/V

装位置影响：任意位置装，大不超过400Pa可通过零功能校正

振动影响：按GB/T1827.3/IEC61298-3测试，<0.1量程上限

总阻尼时间常数：等于电子线路件和传感膜盒阻尼时间常数之和

电子线路件阻尼时间：0-100S范围可调

传感膜盒（隔离传感膜片和硅油填充液）阻尼时间：≤0.2S

断电后上电启动时间：≤6S

数据恢复至正常使用时间：≤31S

净重：约2.9kg

使用环境温度范围：-40-85℃，一体化LCD显示：-20-70℃

储存环境温度范围：-40-110℃，一体化LCD显示：-40-85℃

使用环境温度范围：5-100RH@40℃

护等级：IP67

NEPSI：ExdII-6Gb（GYB16.1265X）/  ExiaII-4Ga（GBY16.1953X）

标准型/隔型：10.5-55VDC

HART通讯协议：16.5-55VDC，通讯时负载电阻250Ω

RS485：12-32VDC

负载电阻：0-2119Ω为工作状态，250-600Ω HART通讯

传输距离：<1000米

功耗：≤500mV@24VDC，20.8mA

密封方式：不锈钢焊接密封

输出方式：4-20mA二线制，适用供电电压10.5-55VDC

4-20mA+HART二线制，适用供电电压16.5-55VDC

Modbus-RTU/RS485，四线制适用供电电压5-32VDC

过程连接

连接位置：高、低压端连接

连接类型：毛细管远传

毛细管类型：铠装SUS304不锈钢，径3.5mm

隔离充灌液：常温硅油，适用直接接触温度范围- - 45 205℃

高温硅油，适用直接接触温度范围 - 0 315℃

卫生填充液NeobeeM-20，适用直接接触温度范围- 10-180℃

接液分材质：不锈钢SUS304S材质，不锈钢SUS316材质

隔离膜片材质：SUS316L不锈钢，哈氏合金C

法兰规格样式：HG/T 20592-2009，DN50PN10凸面法兰，HG/T 20592-2009，DN80PN10凸面法兰，

HG/T 20592-2009，DN100PN10凸面法兰