雪崩能量测试台功能指标:
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配置 |
测试范围 |
测试参数 |
条件 |
范围 |
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电压1000V |
IGBT 绝缘栅极双极型晶体管 |
EAS/单脉冲雪崩能量 |
VCE |
20V~4500V |
20V~100V±3%±1V 100V~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V |
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电流200A |
MOSFETS MOS场效应管 |
EAR/重复脉冲雪崩能量 |
IC |
1mA~200A |
1mA~100mA±3%±0.1mA 100mA~2A±3%±** 2A~200A±3%±50mA |
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DIODES 二极管 |
IAS/脉冲雪崩电流 PAS/单脉冲雪崩功率 |
Ea |
1J~2000J |
1J~100J±3%±1J 100J~500J±3%±5J 500J~2000J±3%±10J |
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IC(检测） |
50mV/A(取决于传感器） |
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感性负载 |
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH |
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重复间隙时间 |
1~60s可调（进步is）重复次数：1~50次 |
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